（氣壓燒結 SI3N4陶瓷由Wintrustek)

在稱為氣壓燒結的過程中，在高壓氣體條件下燒結了材料，從而提高了緻密性和材料質量。具有高熔點的材料或使用常規技術挑戰的材料受益匪淺。

GPS過程是唯一的，因為它涉及一系列步驟：一旦材料到達僅保留封閉孔的狀態，低壓脫水，正常壓力燒結和高壓燒結。該過程進一步緻密材料，並加快去除剩餘孔的去除。因此，使用GPS技術製造的材料的一般機械性能（強度，硬度，斷裂韌性和Weibull-Modulus）比使用傳統燒結過程製成的無孔隙材料的材料更好。

機制：

該物質在受控條件下加熱，通常是在爐子上製造的，以應對高壓。 燒結室充滿高壓氣體，通常是氮或氬氣等惰性氣體。 通過促進原子在粒子邊界之間的擴散，氣壓可降低孔隙度並促進緻密化。

優點：

改善緻密化：施加氣壓會提高機械質量和更高的密度。
更好的微觀結構：該過程會產生一個更細粒度，更一致的微觀結構，從而改善了材料的功能。
多功能性：適合各種材料，例如高熔點金屬和陶瓷。

氣壓燒結 氮化矽陶瓷:

最受歡迎的技術，用於創建具有強度強度的複雜幾何氮化矽碎片是氣壓燒結 氮化矽陶瓷。因此，當我們通常使用術語“硝酸矽陶瓷，“我們暗中推斷它們是氣壓陶瓷。

該過程涉及混合粘合劑的一部分，以增加綠色陶瓷體的機械強度，並使用氮化矽粉末與固定的氮化粉末與燒結輔助劑完全結合，以鼓勵液相燒結（通常是氧化氫，氧化鎂，氧化鎂和/或氧化鋁）。將氮化矽壓入所需形狀後，進行了綠色的身體加工。最後，壓制的綠色體被放入充滿氮氣的燒結爐中，並在高溫下燒結以形成。

氣壓燒結的常見要求包括受控的燒結溫度為2000°C和1-10 MPa的壓力，其略大於其他燒結技術的壓力。也可以通過使用更少的燒結輔助工具來鼓勵SI3N4穀物的發展。成品是長的圓柱穀物陶瓷，具有良好的密度和強度。氣壓燒結會產生氮化矽，該矽極強，耐用且耐磨損。它提供的應用範圍要比其他方法製造的氮化矽範圍更大，因為它可以同時形成不同複雜形狀的燒結產物。

應用程序：

除了熱電偶保護管，熔化的金屬坩堝，陶瓷工具，火箭噴嘴，滾輪環，密封環和用於運輸熔融金屬的容器，氣壓燒結的氮化矽矽膠也廣泛用於燃氣輪機中的高溫和高壓力組件。

除了氮化矽陶瓷，Wintrustek也有氣壓燒結Aln陶瓷.

結論：

氣壓燒結是一種先進的技術，它使用高壓氣體來改善燒結過程，並生產具有更好的宏觀結構，密度和整體性能的材料。該技術對於高科技領域的複雜材料特別有用。