(బాణీయమునిర్మించినదివిన్‌ట్రస్టెక్）

బలమైన సిరామిక్స్‌లో, సిలికాన్ కార్బైడ్ అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద దాని బలం మరియు కాఠిన్యాన్ని నిర్వహిస్తుంది, ఇది ధరించడానికి ఉత్తమమైన ప్రతిఘటనతో కూడిన పదార్థాలలో ఒకటిగా మారుతుంది. Sicఅసాధారణమైన థర్మల్ షాక్ నిరోధకత, తక్కువ ఉష్ణ విస్తరణ సూచిక మరియు బలమైన ఉష్ణ వాహకతను కూడా అందిస్తుంది. అదనంగా, ఇది ఉక్కు కంటే సగం బరువు ఉంటుంది.

ప్రతిచర్య బంధం, ప్రతిచర్య సింటరింగ్ అని కూడా పిలుస్తారు, ఇది దట్టమైన సమయోజనీయ సిరామిక్స్ను సృష్టించడానికి ఒక కీలకమైన ప్రక్రియ. కరిగించిన సిలికాన్ ప్రతిచర్య-బంధిత సిలికాన్ కార్బైడ్ను సృష్టించడానికి పోరస్ కార్బన్ లేదా గ్రాఫైట్ ప్రిఫార్మ్ గా నింపబడుతుంది. ముతక ధాన్యంతో దాని ఉత్పత్తి పద్ధతి అతి తక్కువ ఖరీదైనది. ఇది ఎక్కువ ఉష్ణ వాహకతను అందిస్తుంది కాని కొంత తక్కువ కాఠిన్యం మరియు వినియోగ ఉష్ణోగ్రత.

ప్రక్రియ:

1. హీట్ సిలికాన్, ప్లాస్టిసైజర్లు మరియు ముతకసిలికాన్ కార్బైడ్కలిసి.
2. మిశ్రమాన్ని కావలసిన రూపంలోకి ఆకృతి చేయండి.
3. ఈ పదార్థాలను కాల్చిన తరువాత, అదనపు మ్యాచింగ్ కోసం వాటిని సిద్ధం చేయండి.

లక్షణాలు:

• అధిక బలం

• అద్భుతమైన రసాయన నిరోధకత

• అద్భుతమైన దుస్తులు నిరోధకత

• మంచి థర్మల్ షాక్ రెసిస్టెన్స్
  

Rbsicమైనింగ్ మరియు ఇతర రంగాలకు పెద్ద దుస్తులు ధరించే భాగాలలో, అలాగే పంపులు, మెకానికల్ సీల్స్, బేరింగ్లు, పైప్ లైనర్లు, ఫ్లో కంట్రోల్ చోక్స్ మరియు అధిక దుస్తులు నిరోధకత మరియు డైమెన్షనల్ స్టెబిలిటీ అవసరమయ్యే ఇతర అనువర్తనాలలో తరచుగా ఉపయోగించబడుతుంది.

ప్రతిచర్య బంధిత సిలికాన్ కార్బైడ్ కాకుండా, విన్‌ట్రస్టెక్ కూడా ఉత్పత్తి చేయగలదుఒత్తిడిలేని సైనర్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ (SSIC)మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ (RSIC) ను పున ry స్థాపించారు.

సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్స్అనేక రంగాలలో ఉపయోగించబడతాయి మరియు వివిధ పద్ధతులను ఉపయోగించి తయారు చేయబడతాయి. సింటరింగ్ ఎక్కువ ఉష్ణోగ్రతలలో జరుగుతుంది, ప్రతిచర్య బంధం తక్కువ ఉష్ణోగ్రతల వద్ద జరుగుతుంది మరియు పున ry స్థాపన మరింత స్వచ్ఛమైన సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉత్పత్తులను ఇస్తుంది. విన్‌ట్రస్టెక్ వివిధ ఉత్పత్తి పద్ధతుల నుండి అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్స్‌ను అందిస్తుంది. ఏవైనా ప్రశ్నలు లేదా అవసరాల కోసం, మా అమ్మకాలకు విచారణను పంపడానికి మీకు స్వాగతం.