(AMB陶瓷基板製作者：穩信科技)

活性金屬釬焊 (AMB) 工藝是以下技術的進步：DBC技術。為了鏈接陶瓷基板在金屬層的作用下，填充金屬中的少量Ti、Zr、Cr等活性元素與陶瓷發生反應，生成可被液態填充金屬潤濕的反應層。 AMB基板基於陶瓷和活性金屬在高溫下的化學相互作用，因此結合力更強、更可靠。

AMB 是該領域的最新進展陶瓷基板並提供使用以下任一方法生產重銅的能力氮化矽（Si3N4） or 氮化鋁（AlN）。由於 AMB 使用高溫真空釬焊工藝將純銅釬焊到陶瓷上，因此未採用標準金屬化程序。此外，它還提供了非常可靠的基板，具有獨特的散熱性能。

活性金屬釬焊陶瓷 PCB 的特性包括：

 1. 傑出的電氣屬性

在高頻應用中，陶瓷基板由於其介電常數和損耗較低，可以減少干擾和信號損耗。

2. 更高的導熱性
AMB 陶瓷 PCB 適用於需要有效散熱的高功率應用，因為陶瓷基板比傳統有機基板具有更好的導熱性。

3. 提高可靠性
通過在金屬層和陶瓷基板之間建立牢固而持久的連接，活性金屬釬焊技術可以大大提高 PCB 的可靠性。

4. 更牢固的聯繫 
AMB 陶瓷 PCB 的結合力比其他陶瓷更強，因為它是基於陶瓷和有源元件在高溫下的反應。

5、經濟

陶瓷基板從活性金屬層上獲得金屬化層，這可以縮短 PCB 生產時間並降低成本。

以下是一些常用的磁力軸承陶瓷材料：

1. 主動式MB 鋁烏米納c陶瓷基板

Al2O3 陶瓷是最便宜且最常見的。它們擁有最先進的工藝，是最實惠的 AMB 陶瓷基板。它們的卓越品質包括高強度、高硬度、耐腐蝕、耐磨損、耐高溫和卓越的絕緣性能。
然而，由於氧化鋁陶瓷的熱導率低且散熱能力有限，AMB氧化鋁基板主要用於低功率密度和無嚴格可靠性要求的應用。

 2. AMB AlN陶瓷基板  

由於AlN陶瓷具有高導熱率（理論導熱率319 W/(m·K)）、低介電常數、可與單晶矽相媲美的熱膨脹係數以及良好的電絕緣性能，是比傳統Al2O3和BeO基板材料更好的微電子行業電路基板封裝材料。
目前，AMB工藝製造的氮化鋁陶瓷基板（AMB-AlN）的主要應用領域是高鐵、高壓變流器、直流輸電等高壓大電流功率半導體。然而，AMB-AlN覆銅基板由於其機械強度較差，其應用範圍受到限制，這也影響了其高低溫循環衝擊壽命。

3. AMB Si3N4陶瓷基板  
厚銅層（可達800μm）、高熱容、強傳熱、高導熱率（>90W/(m·K)）都是AMB Si3N4陶瓷基板的特點。具體來說，當較厚的銅層焊接到相對較薄的 AMB Si3N4 陶瓷時，它具有更強的電流傳輸能力和更好的傳熱能力。
90W/(m·K)）都是AMB Si3N4陶瓷基板的特點。具體來說，當較厚的銅層焊接到相對較薄的 AMB Si3N4 陶瓷時，它具有更強的電流傳輸能力和更好的傳熱能力。