(AMB Keramik SubstratProduzéiert vunWintrustek)
De Prozess vun Active Metal Brazing (AMB) ass e Fortschrëtt vunDBCTechnologie. Fir de Link ze verbannenKeramik Substratmat der Metallschicht reagéiert eng kleng Quantitéit vun aktiven Elementer wéi Ti, Zr a Cr am Fillermetall mat der Keramik fir eng Reaktiounsschicht ze generéieren déi duerch de flëssege Füllmetall befeucht ka ginn. AMB Substrat huet e méi staarke Bindung an ass méi zouverlässeg well et baséiert op der chemescher Interaktioun vu Keramik an aktive Metall bei enger héijer Temperatur.
AMB ass dee leschte Fortschrëtt anKeramik Substratea bitt d'Fäegkeet fir schwéier Kupfer ze produzéieren mat entwederSiliziumnitrid (Si3N4) or Aluminiumnitrid (AlN). Zënter AMB en Héichtemperatur Vakuum-Lötprozess benotzt fir pure Kupfer op Keramik ze braze, gëtt d'Standard Metalliséierungsprozedur net benotzt. Ausserdeem liwwert et e ganz zouverléissege Substrat mat markanten Wärmevergëftung.
Aktiv Metal Braze Keramik PCB Charakteristiken enthalen:
1. Aussergewéinlech elektreschEegeschaften
An héich-Frequenz Uwendungen, Keramik Substrater kënnen d'Interferenz a Signalverloscht reduzéieren wéinst hirer gerénger dielektrescher Konstant a Verloscht.
2. Grouss Wärmeleitung
AMB Keramik PCBs si passend fir Héichkraaft Uwendungen déi effektiv Wärmevergëftung erfuerderen, well Keramik Substrater eng wesentlech besser thermesch Konduktivitéit hunn wéi konventionell organesch Substrater.
3. Erhéije Zouverlässegkeet
Andeems Dir e festen a laang dauerhafte Link tëscht de Metallschichten an dem Keramiksubstrat erstellt, kann déi aktiv Metallhärtetechnik d'Verlässlechkeet vum PCB staark erhéijen.
4. Eng méi staark Verbindung
Den AMB Keramik PCB huet eng méi staark Verbindung wéi aner Keramik, well se baséiert op der Reaktioun vu Keramik an aktive Komponenten bei enger héijer Temperatur.
5. wirtschaftlech
De Keramik-Substrat kritt eng Metalliséierungsschicht vun der aktiver Metallschicht, déi d'PCB-Produktiounszäiten a manner Käschten verkierze kann.
Drënner sinn e puer allgemeng benotzt Keramikmaterialien fir AMB:
1. AMB Alumm ceramesche Substrat
Al2O3 Keramik sinn déi bezuelbarst an allgemeng zougänglech. Si hunn den am meeschte entwéckelte Prozess a sinn déi bezuelbarst AMB Keramik Substrate. Hir aussergewéinlech Qualitéiten enthalen héich Stäerkt, héich Härtheet, Korrosiounsbeständegkeet, Verschleißbeständegkeet, Widderstandsfäegkeet géint héich Temperaturen, a super Isoléierleistung.
Wéi och ëmmer, AMB Aluminiumoxidsubstrater gi meeschtens an Uwendungen mat gerénger Kraaftdicht a keng streng Zouverlässegkeet Ufuerderunge benotzt wéinst der gerénger thermescher Konduktivitéit a limitéierter Wärmevergëftungsfäegkeet vun Aluminiumoxid Keramik.
2. AMB AlN Keramik Substrat
Wéinst senger héijer thermescher Konduktivitéit (theoretesch thermesch Konduktivitéit 319 W / (m · K)), niddereg dielektresch Konstant, thermesch Expansiounskoeffizient, déi vergläichbar ass mat Single-Kristall Silizium, a gutt elektresch Isolatiounsleistung, ass AlN Keramik e bessert Material fir Circuit Substrat Verpakung an der Mikroelektronikindustrie wéi traditionell Al2O33 Substrat.
De Moment sinn Héichspannungs- an Héichstroumkraaft Hallefleit wéi High-Speed-Schinn, Héichspannungskonverter, an DC Kraafttransmission déi primär Uwendungen fir Aluminiumnitrid Keramiksubstrater (AMB-AlN) gemaach vum AMB-Prozess. Wéi och ëmmer, d'Applikatiounspalette vun AMB-AlN Kupfer-bekleede Substrate ass limitéiert wéinst hirer relativ schlechter mechanescher Kraaft, déi och hir Héich- an niddreg Temperatur Zyklus Impakt Liewen beaflosst.
3. AMB Si3N4 Keramik Substrat
Déi déck Kupferschicht (bis zu 800μm), héich Wärmekapazitéit, staark Wärmetransfer an héich thermesch Konduktivitéit (> 90W / (m·K)) sinn all Feature vun AMB Si3N4 Keramiksubstrater. Speziell huet et eng méi grouss Fäegkeet fir Stroum a bessere Wärmetransfer ze transportéieren wann eng méi déck Kupferschicht op eng relativ dënn AMB Si3N4 Keramik geschweest gëtt.
90W / (m·K)) sinn all Feature vun AMB Si3N4 Keramiksubstrater. Speziell huet et eng méi grouss Fäegkeet fir Stroum a bessere Wärmetransfer ze transportéieren wann eng méi déck Kupferschicht op eng relativ dënn AMB Si3N4 Keramik geschweest gëtt.
