(AMB સિરામિક સબસ્ટ્રેટદ્વારા ઉત્પાદિતવિન્ટ્રસ્ટેક)

એક્ટિવ મેટલ બ્રેઝિંગ (AMB) ની પ્રક્રિયા એ એક પ્રગતિ છેડીબીસીટેકનોલોજી લિંક કરવા માટેસિરામિક સબસ્ટ્રેટધાતુના સ્તર સાથે, ફિલર ધાતુમાં Ti, Zr અને Cr જેવા સક્રિય તત્વોનો એક નાનો જથ્થો સિરામિક સાથે પ્રતિક્રિયા કરે છે અને એક પ્રતિક્રિયા સ્તર બનાવે છે જે પ્રવાહી ફિલર મેટલ દ્વારા ભીનું થઈ શકે છે. AMB સબસ્ટ્રેટ વધુ મજબૂત બોન્ડ ધરાવે છે અને તે વધુ વિશ્વસનીય છે કારણ કે તે ઉચ્ચ તાપમાને સિરામિક અને સક્રિય ધાતુની રાસાયણિક ક્રિયાપ્રતિક્રિયા પર આધારિત છે.

AMB એ સૌથી તાજેતરની પ્રગતિ છેસિરામિક સબસ્ટ્રેટ્સઅને ક્યાં તો ઉપયોગ કરીને ભારે તાંબાનું ઉત્પાદન કરવાની ક્ષમતા પૂરી પાડે છેસિલિકોન નાઇટ્રાઇડ (Si3N4) or એલ્યુમિનિયમ નાઈટ્રાઈડ (AlN). AMB શુદ્ધ તાંબાને સિરામિક પર બ્રેઝ કરવા માટે ઉચ્ચ તાપમાન વેક્યૂમ બ્રેઝિંગ પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરે છે, તેથી પ્રમાણભૂત મેટલાઇઝેશન પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ થતો નથી. વધુમાં, તે વિશિષ્ટ ગરમીના વિસર્જન સાથે ખૂબ જ ભરોસાપાત્ર સબસ્ટ્રેટ પ્રદાન કરે છે.

સક્રિય મેટલ બ્રેઝ સિરામિક પીસીબી લાક્ષણિકતાઓમાં શામેલ છે:

 1. ઉત્કૃષ્ટ વિદ્યુતગુણધર્મો

ઉચ્ચ-આવર્તન એપ્લિકેશનમાં, સિરામિક સબસ્ટ્રેટ્સ તેમના ઓછા ડાઇલેક્ટ્રિક સ્થિરાંક અને નુકસાનને કારણે હસ્તક્ષેપ અને સિગ્નલ નુકશાન ઘટાડી શકે છે.

2. વધુ ગરમી વાહકતા
એએમબી સિરામિક પીસીબી ઉચ્ચ-પાવર એપ્લિકેશન્સ માટે યોગ્ય છે જે અસરકારક ગરમીના વિસર્જનની માંગ કરે છે કારણ કે સિરામિક સબસ્ટ્રેટ્સમાં પરંપરાગત કાર્બનિક સબસ્ટ્રેટ કરતાં નોંધપાત્ર રીતે વધુ સારી થર્મલ વાહકતા હોય છે.

3. વધેલી નિર્ભરતા
ધાતુના સ્તરો અને સિરામિક સબસ્ટ્રેટ વચ્ચે નક્કર અને લાંબા સમય સુધી ચાલતી કડી બનાવીને, સક્રિય મેટલ બ્રેઝિંગ ટેકનિક પીસીબીની નિર્ભરતામાં ઘણો વધારો કરી શકે છે.

4. એક મજબૂત બોન્ડ 
AMB સિરામિક PCB અન્ય સિરામિક કરતાં વધુ મજબૂત બોન્ડ ધરાવે છે કારણ કે તે ઊંચા તાપમાને સિરામિક અને સક્રિય ઘટકોની પ્રતિક્રિયા પર આધારિત છે.

5. આર્થિક

સિરામિક સબસ્ટ્રેટ સક્રિય ધાતુના સ્તરમાંથી મેટાલાઇઝેશન સ્તર મેળવે છે, જે પીસીબી ઉત્પાદન સમય અને ઓછા ખર્ચને ટૂંકાવી શકે છે.

AMB માટે નીચે કેટલીક સામાન્ય વપરાતી સિરામિક સામગ્રી છે:

1. AMB અલઉમિના સીઇરેમિક સબસ્ટ્રેટ

Al2O3 સિરામિક્સ સૌથી સસ્તું અને સામાન્ય રીતે સુલભ છે. તેમની પાસે સૌથી વધુ વિકસિત પ્રક્રિયા છે અને તે સૌથી વધુ સસ્તું એએમબી સિરામિક સબસ્ટ્રેટ્સ છે. તેમના અસાધારણ ગુણોમાં ઉચ્ચ શક્તિ, ઉચ્ચ કઠિનતા, કાટ સામે પ્રતિકાર, વસ્ત્રો સામે પ્રતિકાર, ઊંચા તાપમાને સ્થિતિસ્થાપકતા અને શ્રેષ્ઠ ઇન્સ્યુલેટીંગ કામગીરીનો સમાવેશ થાય છે.
જો કે, એએમબી એલ્યુમિના સબસ્ટ્રેટ્સનો ઉપયોગ મોટે ભાગે નીચી ઉષ્મીય વાહકતા અને એલ્યુમિના સિરામિક્સની પ્રતિબંધિત ઉષ્મા વિસર્જન ક્ષમતાને કારણે ઓછી શક્તિની ઘનતા અને કોઈ કડક વિશ્વસનીયતાની જરૂરિયાતો ધરાવતી એપ્લિકેશનમાં થાય છે.

 2. AMB AlN સિરામિક સબસ્ટ્રેટ  

તેની ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા (સૈદ્ધાંતિક થર્મલ વાહકતા 319 W/(m·K)), નીચા ડાઇલેક્ટ્રિક સતત, થર્મલ વિસ્તરણ ગુણાંક જે સિંગલ ક્રિસ્ટલ સિલિકોન સાથે સરખાવી શકાય અને સારી ઇલેક્ટ્રિકલ ઇન્સ્યુલેશન કામગીરીને કારણે, AlN સિરામિક એ માઇક્રોઇલેક્ટ્રૉનિક્સ ઉદ્યોગમાં પરંપરાગત સબસ્ટ્રેટ પેકેજિંગ માટે વધુ સારી સામગ્રી છે.
હાલમાં, હાઇ-વોલ્ટેજ અને હાઇ-કરન્ટ પાવર સેમિકન્ડક્ટર જેમ કે હાઇ-સ્પીડ રેલ, હાઇ-વોલ્ટેજ કન્વર્ટર અને DC પાવર ટ્રાન્સમિશન એ એએમબી પ્રક્રિયા દ્વારા બનાવવામાં આવેલા એલ્યુમિનિયમ નાઇટ્રાઇડ સિરામિક સબસ્ટ્રેટ્સ (AMB-AlN) માટે પ્રાથમિક એપ્લિકેશન છે. જો કે, AMB-AlN કોપર-ક્લડ સબસ્ટ્રેટ્સની એપ્લિકેશન શ્રેણી મર્યાદિત છે કારણ કે તેમની તુલનાત્મક રીતે નબળી યાંત્રિક શક્તિ છે, જે તેમના ઉચ્ચ અને નીચા તાપમાન ચક્રની અસર જીવનને પણ અસર કરે છે.

3. AMB Si3N4 સિરામિક સબસ્ટ્રેટ  
જાડા કોપર લેયર (800μm સુધી), ઉચ્ચ ગરમી ક્ષમતા, મજબૂત હીટ ટ્રાન્સફર અને ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા (>90W/(m·K)) એ તમામ AMB Si3N4 સિરામિક સબસ્ટ્રેટના લક્ષણો છે. ખાસ કરીને, જ્યારે જાડા તાંબાના સ્તરને પ્રમાણમાં પાતળા AMB Si3N4 સિરામિકમાં વેલ્ડ કરવામાં આવે છે ત્યારે તે વર્તમાન અને વધુ સારા હીટ ટ્રાન્સફરને પરિવહન કરવાની વધુ ક્ષમતા ધરાવે છે.
90W/(m·K)) એ તમામ AMB Si3N4 સિરામિક સબસ્ટ્રેટના લક્ષણો છે. ખાસ કરીને, જ્યારે જાડા તાંબાના સ્તરને પ્રમાણમાં પાતળા AMB Si3N4 સિરામિકમાં વેલ્ડ કરવામાં આવે છે ત્યારે તે વર્તમાન અને વધુ સારા હીટ ટ્રાન્સફરને પરિવહન કરવાની વધુ ક્ષમતા ધરાવે છે.