Keramik Boron Nitride (BN) adalah salah satu keramik tingkat teknis yang paling efektif. Mereka menggabungkan sifat tahan suhu yang luar biasa, seperti konduktivitas termal yang tinggi, dengan kekuatan dielektrik yang tinggi dan kelembaman kimia yang luar biasa untuk memecahkan masalah di beberapa area aplikasi yang paling menuntut di dunia.

Substrat yang terbuat dari keramik film tipis juga disebut sebagai bahan semikonduktor. Itu terdiri dari sejumlah lapisan tipis yang telah dibangun menggunakan metode pelapisan vakum, pengendapan, atau sputtering. Lembaran kaca dengan ketebalan kurang dari satu milimeter yang berbentuk dua dimensi (datar) atau tiga dimensi dianggap sebagai substrat keramik film tipis. Mereka dapat dibuat dari v

Sementara Si3N4 menggabungkan konduktivitas termal dan kinerja mekanik yang sangat baik. Konduktivitas termal dapat ditentukan pada 90 W/mK, dan ketangguhan retaknya adalah yang tertinggi di antara keramik yang dibandingkan. Karakteristik ini menunjukkan bahwa Si3N4 akan menunjukkan keandalan tertinggi sebagai substrat metalisasi.

Keramik boron nitrida memiliki kekuatan luar biasa dan kinerja termal yang sangat stabil, menjadikannya pilihan ideal untuk membuat nozel yang digunakan dalam atomisasi logam cair.

Boron Carbide (B4C) adalah keramik tahan lama yang terdiri dari Boron dan karbon. Boron Karbida adalah salah satu zat terkeras yang diketahui, peringkat ketiga di belakang kubik Boron nitrida dan intan. Ini adalah bahan kovalen yang digunakan dalam berbagai aplikasi penting, termasuk pelindung tank, rompi antipeluru, dan bubuk sabotase mesin. Bahkan, itu adalah bahan pilihan untuk berbagai aplikasi industri

Konduktivitas termal yang tinggi dan koefisien muai panas yang rendah. Kombinasi sifat ini memberikan ketahanan kejutan termal yang luar biasa, membuat keramik Silicon Carbide berguna di berbagai industri. Ini juga merupakan semikonduktor dan sifat kelistrikannya membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi. Ia juga dikenal karena kekerasannya yang ekstrim dan ketahanan korosi.

Aluminium nitrida memiliki konduktivitas termal yang tinggi (170 W/mk, 200 W/mk, dan 230 W/mk) serta resistivitas volume tinggi dan kekuatan dielektrik.

Kejutan termal seringkali menjadi penyebab utama kegagalan dalam aplikasi suhu tinggi. Itu terdiri dari tiga komponen: ekspansi termal, konduktivitas termal, dan kekuatan. Perubahan suhu yang cepat, baik ke atas maupun ke bawah, menyebabkan perbedaan suhu di dalam bagian tersebut, mirip dengan retakan yang disebabkan oleh gesekan es batu ke gelas panas. Karena berbagai ekspansi dan kontraksi, gerakan

Industri otomotif mengikuti inovasi dengan memanfaatkan keramik teknis canggih untuk menghasilkan perubahan peningkatan kinerja baik dalam proses produksinya maupun komponen spesifik kendaraan generasi baru.

Bantalan dan katup adalah dua aplikasi paling umum untuk bola keramik silikon nitrida. Produksi bola silikon nitrida menggunakan proses yang menggabungkan pengepresan isostatik dengan sintering tekanan gas. Bahan baku untuk proses ini adalah serbuk halus silikon nitrida serta alat bantu sintering seperti aluminium oksida dan yttrium oksida.