Pyrolytic BN သို့မဟုတ် PBN သည် pyrolytic boron nitride ၏ အတိုကောက်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (CVD) နည်းလမ်းဖြင့် ဖန်တီးထားသည့် ဆဋ္ဌဂံပုံ ဘိုရွန်နိုက်ထရိတ် အမျိုးအစားဖြစ်ပြီး 99.99% ထက်ပို၍ အစွန်းအထင်းမရှိသော အလွန်သန့်စင်သော ဘိုရွန်နိုက်ထရိတ်လည်း ဖြစ်ပါသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ အသုံးချမှုများအတွက် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအဖြစ် မကြာခဏ စိုက်ပျိုးထားသော ကြွေထည်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ မွေးရာပါ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများနှင့် တစ်ခုတည်းသော သလင်းကျောက် ကြီးထွားမှုကြောင့်၊ ၎င်းသည် စျေးကွက်တွင် အကြမ်းဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤကြာရှည်ခံမှုသည် ၎င်း၏လျှပ်စစ်လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းထက် ကျော်လွန်ပါသည်။

ဘိုရွန်နိုက်ထရိတ် (BN) ကြွေထည်များသည် အထိရောက်ဆုံး နည်းပညာအဆင့် ကြွေထည်များထဲတွင် ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့သည် ကမ္ဘာ့တောင်းဆိုမှုအရှိဆုံး အသုံးချဧရိယာအချို့ရှိ ပြဿနာများကိုဖြေရှင်းရန်အတွက် မြင့်မားသော dielectric strength နှင့် ခြွင်းချက် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အားနည်းမှုတို့ကဲ့သို့သော ထူးခြားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်ဂုဏ်သတ္တိများ ပေါင်းစပ်ထားသည်။

ပါးလွှာသော ဖလင်ကြွေထည်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အလွှာများကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် ရည်ညွှန်းသည်။ ၎င်းကို လေဟာနယ်အပေါ်ယံပိုင်း၊ စုဆောင်းခြင်း သို့မဟုတ် sputtering နည်းလမ်းများကို အသုံးပြု၍ ပါးလွှာသောအလွှာများစွာဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ နှစ်ဘက်မြင် (ပြား) သို့မဟုတ် သုံးဖက်မြင် အထူတစ်မီလီမီတာအောက်ရှိသော မှန်ချပ်များကို ပါးလွှာသော ဖလင်ကြွေလွှာများဟု သတ်မှတ်သည်။ ၎င်းတို့ကို v မှထုတ်လုပ်နိုင်သည်။

Si3N4 သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာစွမ်းဆောင်ရည်တို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသော်လည်း၊ အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို 90 W/mK တွင် သတ်မှတ်နိုင်ပြီး ၎င်း၏ ကျိုးကြေနိုင်မှုအား နှိုင်းယှဉ်ထားသော ကြွေထည်များတွင် အမြင့်ဆုံးဖြစ်သည်။ ဤလက္ခဏာများသည် Si3N4 အား သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော အလွှာတစ်ခုအနေဖြင့် အမြင့်ဆုံးယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပြသနိုင်မည်ဟု ညွှန်ပြထားသည်။

ဘိုရွန်နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်များသည် သိသိသာသာ ခိုင်ခံ့ပြီး အပူစွမ်းဆောင်ရည် သိသိသာသာ တည်ငြိမ်သောကြောင့် ၎င်းတို့အား သွန်းသောသတ္တု၏ atomization တွင်အသုံးပြုသည့် နော်ဇယ်များပြုလုပ်ရန်အတွက် စံပြရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

ဘိုရွန်ကာဗိုက် (B4C) သည် ဘိုရွန်နှင့် ကာဗွန်တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည့် တာရှည်ခံကြွေထည်ဖြစ်သည်။ ဘိုရွန်ကာဗိုက်သည် ကုဗဘိုရွန်နိုက်ထရိတ်နှင့် စိန်တို့၏နောက် တတိယအဆင့်တွင် လူသိများသော အခက်ဆုံးအရာများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် တင့်ကားချပ်ဝတ်တန်ဆာများ၊ ကျည်ကာအင်္ကျီများနှင့် အင်ဂျင်ဖျက်စီးမှုအမှုန့်များအပါအဝင် အရေးကြီးသောအသုံးအဆောင်အမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည့် covalent ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ အမှန်မှာ၊ ၎င်းသည် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အမျိုးမျိုးအတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်းဖြစ်သည်။

မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့်အပူချဲ့ထွင်မှု၏နိမ့်သောကိန်း။ ဤဂုဏ်သတ္တိများ ပေါင်းစပ်ထားသော ထူးထူးခြားခြား အပူဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး Silicon Carbide ကြွေထည်များကို စက်မှုလုပ်ငန်း အများအပြားတွင် အသုံးဝင်စေပါသည်။ ၎င်းသည် semiconductor တစ်ခုဖြစ်ပြီး ၎င်း၏လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများသည် ကျယ်ပြန့်သော applications များအတွက် သင့်လျော်စေသည်။ ၎င်းသည် ၎င်း၏ အလွန်မာကျောမှုနှင့် သံချေးတက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့်လည်း လူသိများသည်။

အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်သည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးနိုင်စွမ်း (170 W/mk, 200 W/mk, နှင့် 230 W/mk) အပြင် ထုထည်ကြီးမားသော ခုခံနိုင်စွမ်းနှင့် dielectric strength ပါရှိသည်။

Thermal shock သည် အပူချိန်မြင့်သော application များတွင် မကြာခဏ ပျက်ကွက်ခြင်း၏ အဓိက အကြောင်းရင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကို အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှု၊ အပူစီးကူးမှု၊ နှင့် ခိုင်ခံ့မှုတို့ကို အစိတ်အပိုင်းသုံးခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ အရှိန်အဟုန်မြင့်သော အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများသည် ပူသောဖန်ခွက်နှင့် ရေခဲတုံးကို ပွတ်တိုက်ခြင်းကြောင့် အစိတ်အပိုင်းအတွင်း အပူချိန်ကွဲပြားမှုကို ဖြစ်စေသည်။ ချဲ့ထွင်ခြင်းနှင့် ကျုံ့ခြင်း ကွဲပြားခြင်းကြောင့် လှုပ်ရှားခြင်း။