Aluminiumnitride-keramiek heeft uitstekende algehele prestaties, is ideaal voor halfgeleidersubstraten en structurele verpakkingsmaterialen en heeft een aanzienlijk toepassingspotentieel in de elektronica-industrie.

Si3N4 wordt erkend als het beste keramische substraatmateriaal met een hoge thermische geleidbaarheid en hoge betrouwbaarheid in binnen- en buitenland. Hoewel de thermische geleidbaarheid van Si3N4-keramisch substraat iets lager is dan die van AlN, kunnen de buigsterkte en breuktaaiheid meer dan twee keer zo hoog zijn als die van AlN. Ondertussen is de thermische geleidbaarheid van Si3N4-keramiek veel hoger dan die van Al2O3 c

Sinds de 21e eeuw heeft kogelvrij keramiek zich snel ontwikkeld met meer soorten, waaronder aluminiumoxide, siliciumcarbide, boorcarbide, siliciumnitride, titaniumboride, enz. Onder hen, aluminiumoxide keramiek (Al2O3), siliciumcarbide keramiek (SiC) en boorcarbide keramiek (B4C) worden het meest gebruikt.