(سرامیک BEO فلز شدهتولید شده توسطبانگوستک)

از آنجا که بسترهای سرامیکی و مواد فلزی دارای ساختارهای سطحی متفاوتی هستند ، جوشکاری و لحیم کاری اغلب در خیس شدن سطح سرامیک یا ایجاد پیوند جامد با آن ناکام است. بنابراین ، اتصال فلزات و سرامیک یک فرآیند منحصر به فرد است که به عنوان "فلز سازی" شناخته می شود.

تکنیک ایمن کردن یک لایه نازک از فیلم فلزی به سطح یک ماده سرامیکی برای ایجاد پیوندی بین سرامیک و فلز به عنوان فلز سازی سرامیکی شناخته می شود. روش مولیبدن-مانگان (MO-MN) ، مس مستقیم (DPC) ، مس مستقیم پیوند شده (DBC) ، برقی فلزی فعال (AMB) و سایر تکنیک ها روشهای متداول برای فلز سازی سرامیکی هستند. 

بسیاری از سرامیک ها می توانند فلز شوند. در این مقاله ، ما بر روی معرفی تمرکز می کنیمسرامیک BEO فلز شده:

بوییکی از بهترین سرامیک ها برای برنامه های مربوط به اتلاف گرما است زیرا قدرت مکانیکی سرامیک ها را با خواص قابل توجهی از اتلاف گرما ترکیب می کند. خصوصیات آن شامل از بین رفتن دی الکتریک کم ، استحکام قوی ، نقطه ذوب بالا و هدایت حرارتی بالا است. در مقایسه با نیترید آلومینیوم (ALN) و آلومینا (AL2O3) ،سرامیکبه همین ترتیب دارای چگالی کم و قابلیت تعدیل نوترون خوب و قابلیت بازتاب.سرامیکعلاوه بر ثبات در محیط های سخت ، دارای خاصیت عایق استثنایی است.

فرآیند مولیبدن-مانگان بیشترین استفاده از روش فلز سازی برایسرامیکبشر این فرآیند شامل استفاده از مخلوط خمیر مانند اکسیدهای فلزی و پودر فلزی خالص (MO ، منگنز) در سطح سرامیک است و به دنبال آن گرمایش درجه حرارت بالا در یک کوره برای ایجاد یک لایه فلزی است. هدف از افزودن 10 ٪ تا 25 ٪ منگنز به پودر MO ، تقویت پوشش فلزی و ترکیب سرامیک است. محصولات فلزی سازی سرامیکی اکسید بریلیماز لحیم کاری برتر ، مقاومت کششی متوسط بالا از لایه روکش نیکل و دمای پخت ایده آل کمتر از 1550 درجه سانتیگراد برخوردار است. این فاکتورها ضخامت لایه متالیزاسیون منفرد را بهبود می بخشند ، امکان افزایش ضخامت لایه فلزی را از طریق پخت چندگانه فراهم می کند و باعث صرفه جویی در مصرف انرژی می شود.

مزیت:

• ثابت دی الکتریک کم

• از دست دادن دی الکتریک کم

• هدایت حرارتی خوب

• قابلیت های عایق عالی

• قدرت انعطاف پذیری بالا

  
  

به دلیل این مزایا ،سرامیکتبدیل به یک ماده اساسی برای ساخت دستگاه های نوری (مانند تشخیص مادون قرمز و تصویربرداری) و دستگاه های میکروالکترونیک (مانند مدارهای ضخیم و نازک و دستگاه های نیمه هادی با قدرت) می شود.