Pyrolytische Bornitrid-PBN-Produkte

Produktübersicht

Pyrolytisches Bornitrid (PBN) wird durch das bekannte chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) hergestellt, bei dem das Ammoniakgas (NH3) und ein gasförmiges Borhalogenid wie Bortrichlorid (BCI3) in einem Hochtemperatur-CVD-Ofen zur Abscheidung reagieren PBN auf einem geeigneten Substrat wie pyrolytischem Graphit.

PBN ist aufgrund seiner intrinsischen Reinheit und überlegenen mechanischen Eigenschaften als ausgezeichnete Wahl für Hochtemperaturofen- und Elektrokomponenten, Halbleiter- und Mikrowellenverbindungskristalle wie Germanium (Ge), Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphat (InP) bekannt und physikalisch-chemische Stabilität. PBN hält Temperaturen von 1.800 °C im Vakuum und 2.000 °C in Stickstoff stand und ist daher eine gute Wahl für Ofenkomponenten und Schmelzgefäße.

typische Eigenschaften

• Schichtstruktur mit sechseckigem Kristallgitter

• Besondere Eigenschaften senkrecht zur Basisebene des Kristalls

• Überlegene strukturelle und physikalisch-chemische Stabilität

• Anisotrope Struktur

• Hohe thermische Stabilität

• Nicht benetzend

• Ungiftig

Typische Anwendungen

• Tiegel für die Züchtung von Halbleiterkristallen

• Wellenröhren für HF und Mikrowelle

• Fenster, die Mikrowellenstrahlung ausgesetzt sind

• Elektrischer Isolator

PBN-Produktpalette

PBN mit einzigartigen Eigenschaften und hoher struktureller und physikalisch-chemischer Stabilität kann die beste Wahl sein als:

• PBN-Tiegel für den Vertical Gradient Freezing (VGF)-Prozess

• PBN-Tiegel für den Liquid Encapsulation Czochralski (LEC)-Prozess

• PBN-Behälter für den Molecular Beam Epitaxy (MBE)-Prozess

• PBN-Boote für Verbindungshalbleiter und Legierungsverarbeitung

• PBN-Isolierplatten aus metallorganischem CVD (MOCVD) und MBE-Isolierringe

• Elektrische Isolierbuchsen aus PBN für Hochtemperatur-Vakuumgeräte

• PBN-Wanderfeldröhre (TWT) mit Spiralstruktur

GDMS-Analyse

Verpackung & Versand

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