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  • Poliertes Aluminiumnitrid-AlN-Keramikblatt
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Poliertes Aluminiumnitrid-AlN-Keramikblatt

Poliertes Aluminiumnitrid-AlN-Keramikblatt
  • Dichte: 3,31 g/cm3
  • Druckfestigkeit: 2100 MPa
  • Härte (Vickers): 11 GPa
  • PRODUKTDETAIL

Produktbeschreibung

 

Aluminiumnitrid, Formel AlN, ist ein neueres Material in der Familie der technischen Keramik. Während seine Entdeckung vor über 100 Jahren stattfand, wurde es in den letzten 20 Jahren zu einem kommerziell brauchbaren Produkt mit kontrollierten und reproduzierbaren Eigenschaften entwickelt.


Aluminiumnitrid hat eine hexagonale Kristallstruktur und ist ein kovalent gebundenes Material. Die Verwendung von Sinterhilfsmitteln und Heißpressen ist erforderlich, um ein dichtes Material technischer Qualität herzustellen. Das Material ist gegenüber sehr hohen Temperaturen in inerten Atmosphären stabil. An der Luft beginnt die Oberflächenoxidation oberhalb von 700 °C. Es bildet sich eine Aluminiumoxidschicht, die das Material bis 1370°C schützt. Oberhalb dieser Temperatur tritt Massenoxidation auf. Aluminiumnitrid ist in Wasserstoff- und Kohlendioxidatmosphären bis 980°C stabil.


Das Material löst sich langsam in Mineralsäuren durch Korngrenzenangriff und in starken Laugen durch Angriff auf die Aluminiumnitridkörner. Das Material hydrolysiert langsam in Wasser. Die meisten aktuellen Anwendungen liegen im Elektronikbereich, wo Wärmeabfuhr wichtig ist. Dieses Material ist als ungiftige Alternative zu Beryllium interessant. Es stehen Metallisierungsverfahren zur Verfügung, die die Verwendung von AlN anstelle von Aluminiumoxid und BeO für viele elektronische Anwendungen ermöglichen

 

 Physikalische Eigenschaften

 

 Gute dielektrische Eigenschaften

 Hohe Wärmeleitfähigkeit

 Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient, nahe dem von Silizium

 Reagiert nicht mit normalen Halbleiterprozesschemikalien und Gasen

 

Anwendungen

 

 Kühlkörper und Wärmeverteiler

 Elektrische Isolatoren für Laser

 Spannfutter, Klemmringe für Halbleiterverarbeitungsgeräte

 Elektrische Isolatoren

 Handhabung und Verarbeitung von Siliziumwafern

 Substrate und Isolatoren für mikroelektronische Geräte und optoelektronische Geräte

 Substrate für elektronische Gehäuse

 Chipträger für Sensoren und Detektoren

 Chiplets

 Spannzangen

 Komponenten für das Laser-Wärmemanagement

 Geschmolzene Metallbefestigungen

 Verpackungen für Mikrowellengeräte

Materialeigenschaften


Mechanisch

Maßeinheiten

SI/metrisch

(Kaiserliche)

Dichte

g/cc (lb/ft3)

3.26

-203.5

Porosität

% (%)

0

0

Farbe

grau

Biegefestigkeit

MPa (lb/Zoll2x103)

320

-46.4

Elastizitätsmodul

GPa (lb/Zoll2x106)

330

-47.8

Schermodul

GPa (lb/Zoll2x106)

Massenmodul

GPa (lb/Zoll2x106)

Poisson-Zahl

0.24

-0.24

Druckfestigkeit

MPa (lb/Zoll2x103)

2100

-304.5

Härte

kg/mm2

1100

Bruchzähigkeit KIC

MPa•m1/2

2.6

Maximale Gebrauchstemperatur

°C (°F)

(keine Belastung)

Thermal




Wärmeleitfähigkeit

W/m•°K (BTU•in/ft2•h•°F)

140–180

(970–1250)

Der Wärmeausdehnungskoeffizient

10–6/°C (10–6/°F)

4.5

-2.5

Spezifische Wärme

J/Kg•°K (Btu/lb•°F)

740

-0.18

Elektrisch




Durchschlagsfestigkeit

ac-kv/mm (Volt/mil)

17

-425

Dielektrizitätskonstante

@ 1MHz

9

-9

Verlustfaktor

@ 1MHz

0.0003

-0.0003

Verlusttangente

@ 1MHz

Volumenwiderstand

Ohm•cm

>1014



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Verpackung & Versand

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Xiamen Wintrustek Advanced Materials Co., Ltd.

ADRESSE:No.987 Huli Hi-Tech Park, Xiamen, China 361009
Telefon:0086 13656035645
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